一、全掩膜工程成本高
掩膜版是微电子制造过程中的图形转移工具或母版，其功能类似于传统照相机的“底片”，根据客户所需要的图形，通过光刻制版工艺，将微米级和纳米级的精细图案刻制于掩膜版基板上，是承载图形设计和工艺技术等内容的载体。
全掩膜工程的价格主要取决于芯片所选用的“工艺节点”，工艺节点越高、流片价格就越贵。这是因为越先进的工艺节点，所需要使用的掩膜版层数就越多。据了解，在14nm工艺制程上，大约需要60张掩膜版，7nm可能需要80张甚至上百张掩膜版。
掩膜版层数多了，不仅仅是因为掩膜板的价格贵，还因为每多出一层 “掩膜板”，就要多进行一次“光刻”，就要再多涂抹一次 “光刻胶”，就要再多一次 “曝光”，然后再来一次 “显影”，整个流程下来耗费的成本就大大增加了。
据IBS数据显示，在16/14nm制程中，所用掩膜成本在500万美元左右，到7nm制程时，掩膜成本迅速升至1500万美元。
掩膜版的总体费用，包括石英，光刻胶等原材料的成本，Mask Writer和Inspection等机台的使用成本，另外还有掩膜版相关数据的生成，包括OPC、MDP等软件授权、服务器使用和人工开发成本等等。
二、深圳全掩膜工程产品流片补贴
（一）深圳市补贴政策
对首次完成全掩膜工程产品流片的企业，给予首次完成全掩膜工程产品流片费用最高50%、年度总额不超过500万元的资助。
（二）坪山区补贴政策
对集成电路设计企业首次完成掩膜（FullMask：IP授权费、掩膜版费、加工费等）工程产品流片项目，按企业流片费用的 30%，给予最高 500 万元资助。对利用坪山区集成电路生产线首次完成掩膜工程产品流片的，按企业流片费用的30%，给予最高 600 万元资助。
（三）龙岗区补贴政策
对于完成小于90nm全掩膜（Full Mask）工程产品流片的项目，给予不超过流片费用（含掩膜版）30%的扶持。
其中，工艺制程小于90nm、大于45nm（不含）的，单个项目最高扶持50万元；小于45nm、大于28nm（不含）的，单个项目最高扶持200万元；小于28nm的，单个项目最高扶持300万元。同一项目只扶持1次，同一企业每年累计获得扶持总额不超过500万元。
（四）福田区补贴政策
对于首次完成全掩膜工程产品流片的企业，根据工艺制程按上年度流片实际发生费用最高30%，给予最高1000万元的支持。
（五）罗湖区补贴政策
支持企业流片，对渡河要求的，按上级相关部门扶持金额的50%给予配套扶持，最高不超过300万
（六）龙华区补贴政策
对上年度获得深圳市集成电路设计企业流片支持的，给予深圳市资助金额最高30%、不超过250万元资助。
（七）南山区补贴政策
对集成电路企业首次全掩膜工程产品流片进行支持，按照上一年度首次工程流片费用(含掩模版制作、流片等)的10%给予补贴，大于28nm(含)的工艺节点，每家企业每年最高补贴150万元， 7nm（不含）到28nm（不含）节点，每家企业每年最高补贴300万元,小于7nm（含）节点，每家企业每年最高补贴1000万元。
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